BSP316PH6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSP316PH6327XTSA1 bằng Infineon và BSD235CH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™

BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™

BSD235CH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSP316PH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Hộp PG-SOT223-4 (TO-261-4) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
Số lượng chân 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement Enhancement
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) OptiMOS™ low-voltage
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Cấp MSL 1 1
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Số chân — 6

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá