BSP316PH6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSP316PH6327XTSA1 توسط Infineon و BSD235CH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | BSP316PH6327XTSA1 | BSD235CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C (junction) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| تعداد پین‌ها | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | OptiMOS™ low-voltage |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| سطح MSL | 1 | 1 |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS™ |
| Configuration | — | N+P complementary dual MOSFET |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 950 mA |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 530 mA (negative polarity) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| Package Type | — | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) |
| Polarity | — | N-channel + P-channel |
| تعداد پایه | — | 6 |