BSS126H6327XTSA2 vs BSS84PH6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS126H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSS84PH6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS126H6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Paket SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) —
Pin Sayısı 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
Polarity — P-Channel Enhancement Mode

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin