BSS126H6327XTSA2 vs BSS84PH6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS126H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS84PH6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS126H6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
پیکیج SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical) —
پن کی تعداد 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
Polarity — P-Channel Enhancement Mode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں