BSS126H6327XTSA2 vs BSS84PH6327XTSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS126H6327XTSA2 توسط Infineon و BSS84PH6327XTSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS126H6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
بسته‌بندی SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction, typical) —
تعداد پایه 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
بدون هالوژن Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
دمای کاری — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
Polarity — P-Channel Enhancement Mode

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت