BSS126H6327XTSA2 vs BSS84PH6327XTSA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS126H6327XTSA2 מאת Infineon ו BSS84PH6327XTSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSS126H6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
מארז SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction, typical) —
מספר פינים 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
נטול הלוגנים Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
Polarity — P-Channel Enhancement Mode

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר