BSS127H6327XTSA2 vs BSO613SPVGXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS127H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSO613SPVGXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS127H6327XTSA2 BSO613SPVGXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 8 (6 active, 2 thermal/NC)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant (lead-free) Compliant
Klorürsüz Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Technology — OptiMOS (Trench)
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin