BSS127H6327XTSA2 vs BSO613SPVGXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS127H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSO613SPVGXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSS127H6327XTSA2 BSO613SPVGXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
العلبة SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 8 (6 active, 2 thermal/NC)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
حالة RoHS Compliant (lead-free) Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes, per IEC 61249-2-21 —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Technology — OptiMOS (Trench)
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر