BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS308PEH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSL316CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS308PEH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Transistor Türü P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
Paket / Kas PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Configuration — Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Paket — PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Technology — OptiMOS low-voltage MOSFET
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
Pin Sayısı — 6
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin