BSZ120P03NS3GATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ120P03NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSZ0901NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (TA=25C) -11 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) -40 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W —
Power Dissipation (TC=25C) 52 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 12 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -1.7 V —
Technology OptiMOS P3 OptiMOS trench N-channel MOSFET
Paket PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Pin Sayısı — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin