BSZ120P03NS3GATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ120P03NS3GATMA1 توسط Infineon و BSZ0901NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (TA=25C) -11 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) -40 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W —
Power Dissipation (TC=25C) 52 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 12 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -1.7 V —
Technology OptiMOS P3 OptiMOS trench N-channel MOSFET
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
تعداد پایه — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت