BSZ180P03NS3EGATMA1 vs BSZ15DC02KDHXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ180P03NS3EGATMA1 tarafından Infineon ve BSZ15DC02KDHXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü P-Channel MOSFET N-Channel + P-Channel (complementary pair)
Technology OptiMOS P3 OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch)
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) - Ta 9 A —
Continuous Drain Current (ID) - Tc 39.5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance (RDS(on)) max 18 mΩ @ VGS = -10 V —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (QG) total [DATA_NEEDED: QG total] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 40 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) —
Paket PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ15DC02KDHXTMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.2 A
N-Channel RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm]
P-Channel RDS(on) Max — 55 mOhm (per Infineon part summary)
Gate Drive Level — Super Logic level, 2.5 V rated
Configuration — Common drain (back-to-back source pair)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes / RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin