FQP50N06 vs IRF1010ESTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma FQP50N06 tarafından onsemi ve IRF1010ESTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre FQP50N06 IRF1010ESTRLPBF
Marka onsemi Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) —
Part Number FQP50N06 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Planar Stripe DMOS HEXFET planar
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc 120 W —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) max] —
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V 0.022 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 86.6 nC
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Paket TO-220-3 (through-hole) D2PAK (TO-263)
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 84 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 200 W
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V — 12 mOhm
Operating Mode — Enhancement
Drive Voltage — 10 V (standard level)
Qualification — JEDEC standard qualified
Structure — Planar cell (wide SOA)
Avalanche Testing — 100% avalanche energy tested
Sourcing — Multi-vendor, broad distribution availability
Pb-Free / RoHS — PBF (Pb-free) suffix

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin