FQP50N06 vs IRF1010ESTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FQP50N06 بذریعہ onsemi اور IRF1010ESTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | FQP50N06 | IRF1010ESTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | onsemi | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) | — |
| Part Number | FQP50N06 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Planar Stripe DMOS | HEXFET planar |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | 120 W | — |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] | — |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | 0.022 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | 86.6 nC |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | — |
| پیکیج | TO-220-3 (through-hole) | D2PAK (TO-263) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 84 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 200 W |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | — | 12 mOhm |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Drive Voltage | — | 10 V (standard level) |
| Qualification | — | JEDEC standard qualified |
| Structure | — | Planar cell (wide SOA) |
| Avalanche Testing | — | 100% avalanche energy tested |
| Sourcing | — | Multi-vendor, broad distribution availability |
| Pb-Free / RoHS | — | PBF (Pb-free) suffix |