FQP50N06 vs IRF1010ESTRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של FQP50N06 מאת onsemi ו IRF1010ESTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | FQP50N06 | IRF1010ESTRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | onsemi | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) | — |
| Part Number | FQP50N06 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Planar Stripe DMOS | HEXFET planar |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | 120 W | — |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] | — |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | 0.022 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | 86.6 nC |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction) | — |
| מארז | TO-220-3 (through-hole) | D2PAK (TO-263) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 84 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 200 W |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | — | 12 mOhm |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Drive Voltage | — | 10 V (standard level) |
| Qualification | — | JEDEC standard qualified |
| Structure | — | Planar cell (wide SOA) |
| Avalanche Testing | — | 100% avalanche energy tested |
| Sourcing | — | Multi-vendor, broad distribution availability |
| Pb-Free / RoHS | — | PBF (Pb-free) suffix |