H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G6NBJR-PBC tarafından SK hynix ve H5AN4G6NBJR-VKC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organizasyon 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Arayüz DDR4 (double data rate, synchronous) Parallel
Package Code TFBGA —
Paket FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Özellikler Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] -40C to +95C
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Bellek Boyutu — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Veri Hızı — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
RoHS Durumu — Compliant
Packaging — Tray

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin