H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G6NBJR-PBC מאת SK hynix ו H5AN4G6NBJR-VKC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN4G6NBJR-PBC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| ממשק | DDR4 (double data rate, synchronous) | Parallel |
| Package Code | TFBGA | — |
| מארז | FBGA-96 (PBGA96), rectangular | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| תכונות | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] | -40C to +95C |
| Data Rate / Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] | — |
| Process | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Temperature Grade | OTHER (per distributor listing) | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| קצב נתונים | — | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Technology | — | CMOS |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |