H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKI Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-PBC tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-VKI tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-VKI
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Memory Density 4 Gbit —
Organizasyon 512M x 8 512M x 8
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Arayüz Türü Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC V (2666)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Paket 78-ball FBGA FBGA-78
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Density — 4 Gb
Veri Hızı — 2666 Mbps
Besleme Gerilimi — 1.2 V
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
İşletim Sıcaklığı — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin