H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKI مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-PBC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKI توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| نوع رابط | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | V (2666) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Density | — | 4 Gb |
| نرخ داده | — | 2666 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Temperature Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |