IAUC64N08S5L075ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC64N08S5L075ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZN04S7L030ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUC64N08S5L075ATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A (TJ-limited) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 7.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 75 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS Compliance Compliant Compliant
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Pin Sayısı 8 —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin