IAUC64N08S5L075ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC64N08S5L075ATMA1 מאת Infineon ו IAUZN04S7L030ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUC64N08S5L075ATMA1 | IAUZN04S7L030ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUC64N08S5L075ATMA1 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A (TJ-limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 7.5 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 75 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| מספר פינים | 8 | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 3.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 58 W |
| Operating Junction Temperature (Tj) | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-7 |
| Channel Type | — | N-Channel |