IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N024TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Paket / Kas PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Extended Qualification
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Paket — PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
MSL Seviyesi — MSL1 (260°C peak reflow)
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin