IAUT165N08S5N029ATMA2 vs ISC151N08NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUT165N08S5N029ATMA2 tarafından Infineon ve ISC151N08NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUT165N08S5N029ATMA2 ISC151N08NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUT165N08S5N029ATMA2 —
Product Family OptiMOS™ 5 —
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 165 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) 660 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 2.9 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 167 W —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) 225 mJ —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) —
Paket / Kas PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Rating MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
Paket — PG-TDSON-8 FL
Pin Sayısı — 8
Channel Mode — Enhancement
İşletim Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin