IAUT165N08S5N029ATMA2 vs ISC151N08NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUT165N08S5N029ATMA2 מאת Infineon ו ISC151N08NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUT165N08S5N029ATMA2 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUT165N08S5N029ATMA2 | — |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) | 165 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | 660 A | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 2.9 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) | 167 W | — |
| Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) | 225 mJ | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) | — |
| מארז / Case | PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Rating | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| זרם ניקוז רציף (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| מארז | — | PG-TDSON-8 FL |
| מספר פינים | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |