IAUT165N08S5N029ATMA2 vs ISC151N08NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUT165N08S5N029ATMA2 بذریعہ Infineon اور ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUT165N08S5N029ATMA2 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUT165N08S5N029ATMA2 | — |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) | 165 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | 660 A | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 2.9 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) | 167 W | — |
| Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) | 225 mJ | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) | — |
| پیکیج / کیس | PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Rating | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8 FL |
| پنز کی تعداد | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |