IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGT65R025D2ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGLR70R200D2SXUMA1 tarafından Infineon ve IGT65R025D2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGT65R025D2ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN Gen2 (G5) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction, typical) |
| Paket | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) |
| RoHS | Compliant | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 236 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 25 mΩ (typical, per MPN suffix) |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Output Charge (Qoss) | — | [DATA_NEEDED: Qoss typical value] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | Near-zero (GaN characteristic) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |