IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGT65R025D2ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IGLR70R200D2SXUMA1 توسط Infineon و IGT65R025D2ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGT65R025D2ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN Gen2 (G5) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| محدوده دمای کاری | -40 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction, typical) |
| بسته‌بندی | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 236 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 25 mΩ (typical, per MPN suffix) |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Output Charge (Qoss) | — | [DATA_NEEDED: Qoss typical value] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | Near-zero (GaN characteristic) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |