IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGT65R025D2ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IGT65R025D2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGT65R025D2ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN Gen2 (G5) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction, typical) |
| پیکیج | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) |
| RoHS | Compliant | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 236 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 25 mΩ (typical, per MPN suffix) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Output Charge (Qoss) | — | [DATA_NEEDED: Qoss typical value] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | Near-zero (GaN characteristic) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |