IMW120R045M1H vs IMZ120R045M1H Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IMW120R045M1H tarafından Infineon ve IMZ120R045M1H tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IMW120R045M1H IMZ120R045M1H
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology CoolSiC SiC Trench MOSFET CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 1200 V —
On-Resistance (RDS(on)) 45 mOhm at Tj = 25C —
Continuous Drain Current (ID) 52 A at Tc = 25C —
Güç Tüketimi (Ptot) 228 W at Tc = 25C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
Recommended Turn-On Gate Voltage 15 V —
Turn-Off Gate Voltage 0 V —
Configuration Single N-channel with built-in body diode —
Montaj Türü Through Hole Through-hole
Paket PG-TO247-3-41 (TO-247-3) TO-247-4 (PG-TO247-4-1)
Qualification Industrial grade JEDEC 47/20/22 (industrial)
Gate Drive Compatibility IGBT-compatible gate drive —
dv/dt Control Fully controllable via gate resistor —
Body Diode Robust, suitable for synchronous rectification Commutation-robust, synchronous-rectification ready
Turn-Off Switching Losses Temperature independent —
Manufacturer Recommended Operating Margin Do not exceed 80% of maximum ratings for optimum lifetime —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 1200 V
On-Resistance RDS(on) at 25°C — 45 mΩ
Continuous Drain Current (ID at Tc=25°C) — 52 A
Total Power Dissipation at Tc=25°C — 228 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4.5 V (typical)
Turn-off Gate Voltage — 0 V capable
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel
Driver Source Pin (Kelvin) — Yes - dedicated sense/source pin
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin