IPA60R180P7SXKSA1 vs IPW60R180P7XKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPA60R180P7SXKSA1 tarafından Infineon ve IPW60R180P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPA60R180P7SXKSA1 IPW60R180P7XKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 180 mOhm (max at 25C) —
Power Dissipation (PD) at Tc 26 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Paket PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 180 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) — 72 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) — 10 V (typical), +/-20 V max
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Body Diode — Fast body diode with low reverse recovery (Qrr)
Integrated Gate Resistor — Yes
Orderable Part Number — IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin