IPA60R180P7SXKSA1 vs IPW60R180P7XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPA60R180P7SXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPW60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPA60R180P7SXKSA1 IPW60R180P7XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 180 mOhm (max at 25C) —
Power Dissipation (PD) at Tc 26 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
پیکیج PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 180 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) — 72 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) — 10 V (typical), +/-20 V max
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
Body Diode — Fast body diode with low reverse recovery (Qrr)
Integrated Gate Resistor — Yes
Orderable Part Number — IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں