IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB020NE7N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB107N20N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB020NE7N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020NE7N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A 88 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
On-State Resistance RDS(on) 2.0 mΩ typical (per part number code) —
Paket PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Rated Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) —
Product Family — OptiMOS 3
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Pin Sayısı — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin