IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB020NE7N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB107N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB020NE7N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020NE7N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A 88 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
On-State Resistance RDS(on) 2.0 mΩ typical (per part number code) —
پیکیج PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) PG-TO263-3 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Rated Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) —
Product Family — OptiMOS 3
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
پن کی تعداد — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں