IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB020NE7N3GATMA1 מאת Infineon ו IPB107N20N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPB020NE7N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB020NE7N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | 88 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 2.0 mΩ typical (per part number code) | — |
| מארז | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Avalanche Rated | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| מספר פינים | — | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |