IPB027N10N3GATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB027N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPP100N12S305AKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB027N10N3GATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Pin Sayısı — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin