IPB027N10N3GATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB027N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPP100N12S305AKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB027N10N3GATMA1 IPP100N12S305AKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C (TJ) —
מארז PG-TO263-3 (D2PAK) TO-220 (PG-TO220-3-1)
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
זרם ניקוז פועם — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +175 °C
מספר פינים — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר