IPB100N04S4H2ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB100N04S4H2ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N037GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB100N04S4H2ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
RoHS Durumu — Compliant
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin