IPB100N04S4H2ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB100N04S4H2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N037GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB100N04S4H2ATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS-T2 (trench gate) | Trench MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| RDS(on) at VGS=10V | 2.4 mΩ typical | — |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | 115 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temp range] | — |
| پیکیج | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| MSL لیول | MSL1 (up to 260C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Avalanche Energy (EAS) | 100% avalanche tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |