IPB107N20N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB107N20N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB020NE7N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB107N20N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 120 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C (junction)
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Polarity — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin