IPB107N20N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB107N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB020NE7N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB107N20N3GATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | 120 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +175C (junction) |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET |
| Part Number | — | IPB020NE7N3GATMA1 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 2.0 mΩ typical (per part number code) |
| Configuration | — | Single |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) |