IPB110P06LMATMA1 vs IPB051N15NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB110P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IPB051N15NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 - 150V 5.1mOhm OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB110P06LMATMA1 | IPB051N15NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | 139 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (TJ) | -55C to +175C |
| Paket / Kas | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 18 A |
| RDS(on) Typical at VGS=10 V | — | 5.1 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | 51 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 234 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (Drain, Source, Gate) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | — | Yes |