IPB110P06LMATMA1 vs IPB051N15NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB051N15NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 - 150V 5.1mOhm OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB110P06LMATMA1 | IPB051N15NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | 139 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (TJ) | -55C to +175C |
| پیکیج / کیس | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 18 A |
| RDS(on) Typical at VGS=10 V | — | 5.1 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | 51 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 234 W |
| پن کی تعداد | — | 3 (Drain, Source, Gate) |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | — | Yes |