IPB110P06LMATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB110P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IPB100N04S4H2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB110P06LMATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 (trench gate)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (TJ) —
Paket / Kas PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Paket — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
MSL Seviyesi — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin