IPB110P06LMATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB100N04S4H2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB110P06LMATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 (trench gate)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (TJ) —
پیکیج / کیس PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
پیکیج — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
MSL لیول — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں