IPD082N10N3GATMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD082N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD70N10S312ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD082N10N3GATMA1 IPD70N10S312ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IPD082N10N3GATMA1 IPD70N10S312ATMA1
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] 65 nC @ 10 V
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Durumu Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T Power-Transistor
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Paket — PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin