IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından Infineon ve IPD35N10S3L26ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N08S2L21ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V 26 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (L series) —
Gate Charge (Qg) typ 56 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Maximum Junction Temperature +175C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Part Number — IPD35N10S3L26ATMA1
Technology — OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin