IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N08S2L21ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD35N10S3L26ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD30N08S2L21ATMA1 | IPD35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 180 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Part Number | — | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 35 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 71 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Green product (halogen-free) |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] |