IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50N10S3L16ATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N10S3L16ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ AktifInfineon
IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD50N10S3L16ATMA1 | IPD50N10S3L16ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD50N10S3L16ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS-T | OptiMOS-T |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 200 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.5 V (typ) | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | 100 W | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Maximum R_DS(on) at VGS=10V | — | 15 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | — | 100 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Delivery Form | — | Tape and Reel (T&R) |