IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD50N10S3L16ATMA1 توسط Infineon و IPD50N10S3L16ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ فعالInfineon
IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD50N10S3L16ATMA1 | IPD50N10S3L16ATMA2 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD50N10S3L16ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS-T | OptiMOS-T |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 200 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.5 V (typ) | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | 100 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Maximum R_DS(on) at VGS=10V | — | 15 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | — | 100 W |
| تعداد پایه | — | 3 (2 + Tab) |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Delivery Form | — | Tape and Reel (T&R) |