IPD50P04P413ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50P04P413ATMA2 tarafından Infineon ve IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD50P04P413ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per Infineon product page)
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin